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【對話前沿專家】香港科技大學黃文海教授談氧化鎵器件的突破與展望

  • _____在超寬禁帶半導體領域，氧化鎵器件憑借其獨特性能成為研究熱點。我們有幸與香港科技大學電子及計算機工程教授黃文海教授，圍繞氧化鎵器件的研究現狀、應用前景及測試測量挑戰(zhàn)展開深入交流。香港科技大學在氧化鎵研究領域取得了顯著的成果，涵蓋了材料生長、器件設計、性能優(yōu)化和應用開發(fā)等多個方面。通過與國際科研機構和企業(yè)的合作，港科大團隊不僅推動了氧化鎵技術的發(fā)展，也為相關領域的應用提供了重要的技術支持。黃文海教授的團隊主要致力于氧化鎵器件全鏈條的研究。在材料生長方面，聚焦優(yōu)化晶體生長工藝，通過改進熔體生長技術，成
  • 關鍵字： 香港科技大學  氧化鎵器件  GaN  

英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產品系列

  • 英飛凌科技股份公司近日推出CoolGaN? G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方案還簡化了功率級設計，降低了用料成本。集成肖特基二極管的CoolGaN? G5晶體管在硬開關應用中，由于GaN器件的有效體二極管電壓（VSD?）較大，基于GaN的拓撲結構可能產生較高的功率損耗。如果控制器的死區(qū)時間較長，那么這種情況就會更加嚴重，導致效率低于目標值。目前功率器件設
  • 關鍵字： 英飛凌  肖特基二極管  工業(yè)用  GaN  晶體管  

德州儀器推出新款電源管理芯片，可提高現代數據中心的保護級別、功率密度和效率水平

  • 新聞亮點：新款發(fā)布的具有電源路徑保護功能的 48V 集成式熱插拔電子保險絲簡化了數據中心設計，助力設計人員達到 6kW 以上的功率水平。新型集成式氮化鎵 (GaN) 功率級采用行業(yè)標準的晶體管外形無引線 (TOLL) 封裝，將德州儀器的 GaN 和高性能柵極驅動器與先進的保護功能相結合。中國上海（2025 年4 月 9 日）— 德州儀器 (TI)（納斯達克股票代碼：TXN）于今日推出新款電源管理芯片，以滿足現代數據中心快速增長的電源需求。隨著高性能計算和人工智能 (AI) 的采用率越來越高，數據中心需要更
  • 關鍵字： 德州儀器  GaN  數據中心  電源管理芯片  保險絲  

Nexperia擴展GaN FET產品組合，現可支持更多低壓和高壓應用中的功率需求

  • Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產品組合新增12款新器件。本次產品發(fā)布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個市場，包括消費電子、工業(yè)、服務器/計算以及電信，尤其著重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場景。自2023年推出E-mode GaN FET以來，Nexperia一直是業(yè)內少有、同時提供級聯(lián)型或D-mode和E-mode器件的供應商，為設計人員在應對設計過程中的不同挑戰(zhàn)提供了更多便捷性。Nexperia
  • 關鍵字： Nexperia  GaN FET  

芯向未來，2025英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng)新大會成功舉辦

  • 3月14日，?“2025?英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng)新大會”（ICIC 2025，以下同）在深圳舉行。本屆大會匯聚600多位業(yè)界精英，就AI、機器人、邊緣計算、氮化鎵應用等話題展開了精彩探討，首次在國內展示了英飛凌兩款突破性技術——300mm氮化鎵功率半導體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓，彰顯了英飛凌在技術創(chuàng)新領域的領先地位，并解讀最新產品與解決方案，為行業(yè)注入新動能，助力企業(yè)在低碳數字變革的浪潮中把握先機。2025英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng)新大會（ICIC 2025）在深圳舉行2024年，
  • 關鍵字： 英飛凌  MCU  GaN  

GaN HEMT為開關應用帶來低噪聲功率

  • 氮化鎵 （GaN） 高電子遷移率晶體管 （HEMT） 是場效應晶體管的一種形式，它在微波頻率下工作時結合了高水平的性能和低噪聲系數。不過，HEMT 與其他類型的 FET 器件有些不同，它的性能優(yōu)于標準結或 MOSFET。這些獨特的器件在微波射頻 （RF） 應用中表現出色。來自 n 型區(qū)域的電子穿過晶格，許多電子保持在異質結附近（異質結是指通過兩個或多個半導體的接觸耦合形成的界面區(qū)域）。這種只有一層厚的電子形成二維電子氣體。650V GaN HEMT 的開關能量 （Esw） 是在硬開關條
  • 關鍵字： GaN  HEMT  開關應用  低噪聲功率  

CGD 官宣突破100KW以上技術，推動GAN挺進超100億美元的電動汽車逆變器市場

  • 無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司 Cambridge GaN Devices（CGD）開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，使更加環(huán)保的電子產品非常易于設計和運行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN? 解決方案使 CGD 利用其 ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術滿足100kW 以上的電動汽車動力系統(tǒng)應用，該市場超過100億美元。Combo ICeGaN?將智能 ICeGaN HEMT IC 和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）組合在同一個模塊或集成功率管理器件（IPM）中，最大限度地提高了效率，為昂
  • 關鍵字： CGD  GAN  電動汽車  驅動逆變器  

基于GaN的汽車應用的最新進展是什么？

  • 電動汽車 （EV） 越來越受歡迎，因為精明的消費者，尤其是在加利福尼亞州，認識到出色的加速性能的優(yōu)勢，例如，當紅綠燈變綠時，汽油動力汽車可能會被塵土甩砸。這是因為電動機在駕駛員踩下油門的那一刻就會產生峰值扭矩。然而，與內燃機 （ICE） 汽車相比，電動汽車的主要動機是能源效率。EV 車載電池充電器EV1 的車載電池充電器 （OBC） 完全能夠為來自交流電網的高壓牽引電池充電（圖 1）。停放的車輛插入 EV 1 級和 2 級交流充電站之一，這些充電站出現在停車場、家庭、公司、購
  • 關鍵字： GaN  汽車應用  OBC  高壓 DC-DC轉換器  

氮化鎵（GaN）賦能D類音頻放大器的未來

  • 了解如何將氮化鎵（GaN）功率晶體管技術應用于D類音頻放大器，可以提高信號保真度，降低功耗，并提供比硅更輕、更具成本效益的解決方案。在音頻工程中，放大器是傳遞強大、沉浸式聲音的核心設備。這些設備將低功率音頻信號轉換為豐富、高功率的輸出，從而驅動從便攜式揚聲器到專業(yè)音響系統(tǒng)的一切設備。在過去十年中出現的各種放大器設計中，有一種脫穎而出：D類放大器。以其高效性和廣泛使用而聞名，D類技術主導了現代音頻領域。然而，即使是最受歡迎的放大器也有其局限性。當前的D類音頻系統(tǒng)雖然效率很高，但在性能上仍面臨挑戰(zhàn)。D類放大器
  • 關鍵字： GaN  放大器  

GaN功率FET及背后柵極驅動器在LiDAR傳感器中的作用

  • 氮化鎵 （GaN） 功率器件因其超快的開關速度和有限的寄生效應而成為 LiDAR 傳感器的核心構建模塊之一，從而在高總線電壓和窄脈沖寬度下實現高峰值電流。為了迎來自動駕駛汽車的未來，必須在車輛系統(tǒng)內使用更先進的傳感器。LiDAR 是檢測自動駕駛汽車周圍物體存在的更廣泛使用的傳感器之一，它是光檢測和測距的縮寫，它從激光射出光并測量場景中的反射，有點像基于光的雷達。車輛的車載計算機可以使用這些數據來解釋汽車與周圍環(huán)境的關系以及道路上是否存在其他汽車和物體。LiDAR 傳感器必須基于一個非常快速的開關，該開關為
  • 關鍵字： GaN  功率FET  柵極驅動器  LiDAR  傳感器  

50V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優(yōu)異的電流容量和開關特性，因此在工業(yè)設備、車載設備以及需要支持大功率的應用領域被越來越多地采用。此次，ROHM將封裝工序外包給了作為半導體后道工序供應商（OSAT）擁有豐富業(yè)績的日月新半導體（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下簡稱“ATX”）。
  • 關鍵字： GaN HEMT  GaN  ROHM  

日本電裝開發(fā)出GaN 三電平汽車電驅方案

  • 據日媒報道，名古屋大學和日本電裝公司利用橫向 GaN HEMT，合作開發(fā)出了一種 800V 兼容逆變器（三相、三電平），主要用于驅動使用的電動汽車牽引電機（圖 1）。據了解，名古屋大學與松下控股、豐田合成、大阪大學和電裝合作，參與了日本環(huán)境省自 2022 年以來實施的項目“加速實現創(chuàng)新 CO? 減排材料的社會實施和傳播項目”。新開發(fā)的高壓三電平逆變器是該項目努力的結果。圖1 ：電裝橫向 GaN HEMT 電驅逆變器（左）、單相降壓 DC-DC 轉換器運行時的開關波形（右）。提高電動汽車和混合動力電動汽車（
  • 關鍵字： 日本電裝  GaN  三電平  汽車電驅  

復旦大學在Si CMOS+GaN單片異質集成的探索

  • 異質異構Chiplet正成為后摩爾時代AI海量數據處理的重要技術路線之一，正引起整個半導體行業(yè)的廣泛關注，但這種方法要真正實現商業(yè)化，仍有賴于通用標準協(xié)議、3D建模技術和方法等。然而，以拓展摩爾定律為標注的模擬類比芯片技術，在非尺寸依賴追求應用多樣性、多功能特點的現實需求，正在推動不同半導體材料的異質集成研究。為此，復旦大學微電子學院張衛(wèi)教授、江南大學集成電路學院黃偉教授合作開展了Si CMOS+GaN單片異質集成的創(chuàng)新研究，并在近期國內重要會議上進行報道。復旦大學微電子學院研究生杜文張、何漢釗、范文琪等
  • 關鍵字： 復旦大學  Si CMOS  GaN  單片異質集成  

650V耐壓GaN HEMT新增小型與高散熱TOLL封裝

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優(yōu)異的電流容量和開關特性，因此在工業(yè)設備、車載設備以及需要支持大功率的應用領域被越來越多地采用。此次，ROHM將封裝工序外包給了作為半導體后道工序供應商（OSAT）擁有豐富業(yè)績的日月新半導體（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下簡稱“ATX”）。
  • 關鍵字： GaN HEMT  TOLL封裝  ROHM  

技術洞察 | 邁向更綠色的未來：GaN技術的變革性影響

  • 作者Nihit Bajaj 英飛凌科技 GaN產品高級總監(jiān)校對宋清亮 英飛凌科技大中華區(qū)消費、計算與通訊業(yè)務高級首席工程師過去幾十年間，人口和經濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩(wěn)步增長，并且預計這一趨勢還將持續(xù)。這種增長是線下與線上活動共同作用的結果。因此，數據中心的快速擴張顯著增加了全球電力需求。據估計，2022年全球數據中心耗電量約為240-340太瓦時（TWh）。近年來，全球數據中心的能源消耗以每年20-40%的速度持續(xù)增長 [1] 。圖1：1910年以來
  • 關鍵字： 英飛凌  GaN  
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